IPG16N10S461AATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPG16N10S461AATMA1
Numéro d'article : IPG16N10S461AATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 9µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
Puissance - Max : 29W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8-10
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1143145 Pièces
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