IPI028N08N3GHKSA1 Fiche technique
Spécifications pour IPI028N08N3GHKSA1
Numéro d'article : IPI028N08N3GHKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 270µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14200pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO262-3
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
17408 Pièces
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