IPI086N10N3GXKSA1 Fiche technique
Spécifications pour IPI086N10N3GXKSA1
Numéro d'article :
IPI086N10N3GXKSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 75µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
125W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO262-3
Paquet / caisse :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
265680 Pièces
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