IPL60R180P6AUMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPL60R180P6AUMA1
Numéro d'article : IPL60R180P6AUMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 600V 4VSON
Séries : CoolMOS™ P6
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 750µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2080pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 176W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-VSON-4
Paquet / caisse : 4-PowerTSFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 4VSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
280980 Pièces
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