IPN50R800CEATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPN50R800CEATMA1
Numéro d'article : IPN50R800CEATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : CONSUMER
Séries : CoolMOS™ CE
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223
Paquet / caisse : TO-261-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
CONSUMER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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