IPN70R750P7SATMA1 Fiche technique
Spécifications pour IPN70R750P7SATMA1
Numéro d'article : IPN70R750P7SATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : COOLMOS P7 700V SOT-223
Séries : CoolMOS™ P7
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 306pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 6.7W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223
Paquet / caisse : TO-261-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
COOLMOS P7 700V SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1506410 Pièces
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