IPW65R660CFDFKSA1 Fiche technique
Spécifications pour IPW65R660CFDFKSA1
Numéro d'article : IPW65R660CFDFKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 700V 6A TO247
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 615pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 700V 6A TO247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
13096 Pièces
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