IPZ60R037P7XKSA1 Fiche technique
Spécifications pour IPZ60R037P7XKSA1
Numéro d'article : IPZ60R037P7XKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Séries : CoolMOS™ P7
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.48mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 121nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5243pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 255W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO247-4
Paquet / caisse : TO-247-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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