IRF3711ZS Fiche technique
Spécifications pour IRF3711ZS
Numéro d'article : IRF3711ZS
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 92A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.45V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2150pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 79W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF3711ZS
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
64715 Pièces
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