IRF5852 Fiche technique
Spécifications pour IRF5852
Numéro d'article : IRF5852
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 15V
Puissance - Max : 960mW
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF5852
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
26131 Pièces
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