IRF6601 Fiche technique
Spécifications pour IRF6601
Numéro d'article : IRF6601
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 26A (Ta), 85A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3440pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MT
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MT
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF6601
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
64645 Pièces
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