Spécifications pour IRF6662TR1PBF

Numéro d'article : IRF6662TR1PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1360pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MZ
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MZ
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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