IRF6665TR1 Fiche technique
Spécifications pour IRF6665TR1
Numéro d'article : IRF6665TR1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ SH
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric SH
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF6665TR1
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
10320 Pièces
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