IRF6702M2DTRPBF Fiche technique
Spécifications pour IRF6702M2DTRPBF
Numéro d'article : IRF6702M2DTRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1380pF @ 15V
Puissance - Max : 2.7W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DirectFET™ Isometric MA
Package d'appareils du fournisseur : DIRECTFET™ MA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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