IRF7450TR Fiche technique
Spécifications pour IRF7450TR
Numéro d'article : IRF7450TR
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF7450TR
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
65220 Pièces
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