IRF7601TR Fiche technique
Spécifications pour IRF7601TR
Numéro d'article : IRF7601TR
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Micro8™
Paquet / caisse : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF7601TR
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
64340 Pièces
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