IRF8113GTRPBF Fiche technique
Spécifications pour IRF8113GTRPBF
Numéro d'article :
IRF8113GTRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
17.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2910pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
10184 Pièces
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