IRFH5210TRPBF Fiche technique
Spécifications pour IRFH5210TRPBF
Numéro d'article :
IRFH5210TRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10A (Ta), 55A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2570pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
694030 Pièces
Prix de référence
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