IRFH5302TR2PBF Fiche technique
Spécifications pour IRFH5302TR2PBF
Numéro d'article : IRFH5302TR2PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 32A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4400pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.6W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PQFN (5x6) Single Die
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9392 Pièces
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