IRLML2402TRPBF Fiche technique
Spécifications pour IRLML2402TRPBF
Numéro d'article : IRLML2402TRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 540mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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