IXFA7N80P Fiche technique
Spécifications pour IXFA7N80P
Numéro d'article : IXFA7N80P
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
Séries : HiPerFET™, PolarHT™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXFA)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFA7N80P
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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