IXFB50N80Q2 Fiche technique
Spécifications pour IXFB50N80Q2
Numéro d'article : IXFB50N80Q2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1135W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PLUS264™
Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFB50N80Q2
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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