IXFE34N100 Fiche technique
Spécifications pour IXFE34N100
Numéro d'article : IXFE34N100
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 455nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 580W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-227B
Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFE34N100
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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