IXFK30N100Q2 Fiche technique
Spécifications pour IXFK30N100Q2
Numéro d'article : IXFK30N100Q2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8200pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 735W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-264AA (IXFK)
Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFK30N100Q2
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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