IXFN32N100Q3 Fiche technique
Spécifications pour IXFN32N100Q3
Numéro d'article : IXFN32N100Q3
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9940pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 780W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-227B
Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFN32N100Q3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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