IXKR25N80C Fiche technique
Spécifications pour IXKR25N80C
Numéro d'article :
IXKR25N80C
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Séries :
CoolMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
355nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
Super Junction
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
ISOPLUS247™
Paquet / caisse :
ISOPLUS247™
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXKR25N80C
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
40704 Pièces
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