IXRFSM12N100 Fiche technique
Spécifications pour IXRFSM12N100
Numéro d'article : IXRFSM12N100
Fabricant : IXYS-RF
La description : 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Séries : SMPD
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2875pF @ 800V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 940W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 16-SMPD
Paquet / caisse : 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXRFSM12N100
Fabricant
Brève description
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
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quantité disponible
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