IXTA3N60P Fiche technique
Spécifications pour IXTA3N60P
Numéro d'article : IXTA3N60P
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
Séries : PolarHV™
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 411pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 70W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXTA3N60P
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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