IXTH04N300P3HV Fiche technique
Spécifications pour IXTH04N300P3HV
Numéro d'article : IXTH04N300P3HV
Fabricant : IXYS
La description : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 3000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 400mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 283pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 104W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247HV
Paquet / caisse : TO-247-3 Variant
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
35413 Pièces
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