IXTX110N20L2 Fiche technique
Spécifications pour IXTX110N20L2
Numéro d'article : IXTX110N20L2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Séries : Linear L2™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 960W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PLUS247™-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXTX110N20L2
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
25662 Pièces
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