JAN1N4150UR-1 Fiche technique
Spécifications pour JAN1N4150UR-1
Numéro d'article :
JAN1N4150UR-1
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Séries :
Military, MIL-PRF-19500/231
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
50V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
200mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1V @ 200mA
La vitesse :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) :
4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
100nA @ 50V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-213AA
Package d'appareils du fournisseur :
DO-213AA
Température de fonctionnement - Jonction :
-65°C ~ 175°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
250420 Pièces
Prix de référence
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