KGF12N05-400-SP Fiche technique
Spécifications pour KGF12N05-400-SP
Numéro d'article : KGF12N05-400-SP
Fabricant : Renesas Electronics America Inc.
La description : IC MOSFET N-CH
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 5.5V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 3.5V
Vgs (Max) : ±5.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 940pF @ 5.5V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WLCSP (1.47x1.47)
Paquet / caisse : 6-SMD, No Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
17664 Pièces
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