LN100LA-G Fiche technique
Spécifications pour LN100LA-G
Numéro d'article : LN100LA-G
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET 2N-CH 1200V
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Cascoded)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Puissance - Max : 350mW
Température de fonctionnement : -25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-VFLGA
Package d'appareils du fournisseur : 6-LFGA (3x3)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-LN100LA-G
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 1200V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
28511 Pièces
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