LN60A01ES-LF-Z Fiche technique
Spécifications pour LN60A01ES-LF-Z
Numéro d'article : LN60A01ES-LF-Z
Fabricant : Monolithic Power Systems Inc.
La description : MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 3 N-Channel, Common Gate
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1.3W
Température de fonctionnement : -20°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
890670 Pièces
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