MAP6KE13AE3 Fiche technique
Spécifications pour MAP6KE13AE3
Numéro d'article :
MAP6KE13AE3
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18
Séries :
Military, MIL-PRF-19500
Statut de la pièce :
Active
Type :
Zener
Canaux Unidirectionnels :
1
Canaux bidirectionnels :
-
Tension - Entretoise inversée (type) :
11.1V
Tension - Panne (Min) :
12.4V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp :
18.2V
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) :
33A
Puissance - Peak Pulse :
600W
Protection de ligne électrique :
No
Applications :
General Purpose
Capacité à fréquence :
-
Température de fonctionnement :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Paquet / caisse :
T-18, Axial
Package d'appareils du fournisseur :
T-18
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-MAP6KE13AE3
Fabricant
Brève description
TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
51996 Pièces
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Produits associés pour MAP6KE13AE3 Microsemi Corporation
| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP |
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Xilinx Inc. |
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