MT3S113(TE85L,F) Fiche technique
Spécifications pour MT3S113(TE85L,F)
Numéro d'article : MT3S113(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : NPN
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 5.3V
Fréquence - Transition : 12.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) : 1.45dB @ 1GHz
Gain : 11.8dB
Puissance - Max : 800mW
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 200 @ 30mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : S-Mini
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1670015 Pièces
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