MUN5116DW1T1G Fiche technique
Spécifications pour MUN5116DW1T1G
Numéro d'article : MUN5116DW1T1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : -
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : -
Puissance - Max : 250mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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