N0434N-S23-AY Fiche technique
Spécifications pour N0434N-S23-AY
Numéro d'article : N0434N-S23-AY
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5550pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-262
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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