NDDL01N60Z-1G Fiche technique
Spécifications pour NDDL01N60Z-1G
Numéro d'article : NDDL01N60Z-1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 92pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 26W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : IPAK (TO-251)
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21640 Pièces
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