NE3210S01-T1B Fiche technique
Spécifications pour NE3210S01-T1B
Numéro d'article : NE3210S01-T1B
Fabricant : CEL
La description : FET RF 4V 12GHZ S01
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : HFET
La fréquence : 12GHz
Gain : 13.5dB
Tension - Test : 2V
Note actuelle : 15mA
Figure de bruit : 0.35dB
Courant - Test : 10mA
Puissance - sortie : -
Tension - nominale : 4V
Paquet / caisse : 4-SMD
Package d'appareils du fournisseur : SMD
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
FET RF 4V 12GHZ S01
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
52710 Pièces
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| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 384MC 15NS 160QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7NSNS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 7.5NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9NS 324BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 144MC 7.5NS 160QFP |