NGTD13R120F2SWK Fiche technique
Spécifications pour NGTD13R120F2SWK
Numéro d'article :
NGTD13R120F2SWK
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
-
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
2.6V @ 25A
La vitesse :
-
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
1µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
Die
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Température de fonctionnement - Jonction :
175°C (Max)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
460300 Pièces
Prix de référence
Notre prix
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Produits associés pour NGTD13R120F2SWK ON Semiconductor
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Intel |
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IC CPLD 512MC 7NSNS 208QFP |
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|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP |