NIF9N05CLT1G Fiche technique
Spécifications pour NIF9N05CLT1G
Numéro d'article : NIF9N05CLT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 59V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 35V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.69W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-223
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NIF9N05CLT1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
51792 Pièces
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