NTD4809NH-1G Fiche technique
Spécifications pour NTD4809NH-1G
Numéro d'article :
NTD4809NH-1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2155pF @ 12V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I-PAK
Paquet / caisse :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTD4809NH-1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4936 Pièces
Prix de référence
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