NTD4815N-35G Fiche technique
Spécifications pour NTD4815N-35G
Numéro d'article : NTD4815N-35G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 11.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTD4815N-35G
Fabricant
Brève description
MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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