NTMD6N02R2 Fiche technique
Spécifications pour NTMD6N02R2
Numéro d'article : NTMD6N02R2
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.92A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 16V
Puissance - Max : 730mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTMD6N02R2
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
26215 Pièces
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