NTMFD4C88NT3G Fiche technique
Spécifications pour NTMFD4C88NT3G
Numéro d'article : NTMFD4C88NT3G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11.7A, 14.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1252pF @ 15V
Puissance - Max : 1.1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
255465 Pièces
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