NVATS5A113PLZT4G Fiche technique
Spécifications pour NVATS5A113PLZT4G
Numéro d'article : NVATS5A113PLZT4G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 38A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 60W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : ATPAK
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
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quantité disponible
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