NVMFD5C650NLWFT1G Fiche technique
Spécifications pour NVMFD5C650NLWFT1G
Numéro d'article :
NVMFD5C650NLWFT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 98µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2546pF @ 25V
Puissance - Max :
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
389225 Pièces
Prix de référence
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