NVMFS6B85NLT3G Fiche technique
Spécifications pour NVMFS6B85NLT3G
Numéro d'article : NVMFS6B85NLT3G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.6A (Ta), 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21539 Pièces
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