NVMFS6H824NT1G Fiche technique
Spécifications pour NVMFS6H824NT1G
Numéro d'article : NVMFS6H824NT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : T8 80V SO8FL NCH STD GATE
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A (Ta), 103A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2470pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
T8 80V SO8FL NCH STD GATE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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